SURFACE MOBILITY IN GERMANIUM AND SILICON

被引：13

作者：

MILLEA, MF

HALL, TC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.1.276

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：276 / 278

页数：3

共 5 条

[1] SURFACE CONDUCTANCE AND THE FIELD EFFECT ON GERMANIUM [J].

BARDEEN, J ;

COOVERT, RE ;

MORRISON, SR ;

SCHRIEFFER, JR ;

SUN, R .

PHYSICAL REVIEW, 1956, 104 (01) :47-51

[2]

HALL TC, 1958, B AM PHYS SOC 2, V3, P138

[3]

Kingston RH, 1957, SEMICONDUCTOR SURFAC

[4] EFFECTIVE CARRIER MOBILITY IN SURFACE-SPACE CHARGE LAYERS [J].

SCHRIEFFER, JR .

PHYSICAL REVIEW, 1955, 97 (03) :641-646

[5] MAGNETO-SURFACE EXPERIMENTS ON GERMANIUM [J].

ZEMEL, JN ;

PETRITZ, RL .

PHYSICAL REVIEW, 1958, 110 (06) :1263-1271