REMOVAL OF RADIATION-INDUCED ELECTRON TRAPS IN MOS STRUCTURES BY RF ANNEALING

被引：13
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作者：
MA, TP
CHIN, MR
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1980年 / 36卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1063/1.91283
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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