EPITAXY BY PERIODIC ANNEALING

被引：57

作者：

CHO, AY

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0039-6028(69)90125-3

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：494 / &

共 5 条

[1] VAPOR PRESSURES AND PHASE EQUILIBRIA IN GA-AS SYSTEM [J].

ARTHUR, JR .

[2] INTERACTION OF GA AND AS2 MOLECULAR BEAMS WITH GAAS SURFACES [J].

ARTHUR, JR .

[3]

GUNTHER KG, 1962, COMPOUND SEMICONDUCT, V1, P313

[4]

HAYASHI I, 1969, IEEE J QUANTUM ELECT, VQE 5, P211

[5] PHASE EQUILIBRIA IN GAAS AND GAP SYSTEMS [J].

THURMOND, CD .