IMPACT IONIZATION RATES IN (100)-GAAS AT HIGH ELECTRIC-FIELDS DERIVED FROM AVALANCHE BREAKDOWN OF SUBMICRON PIN-DIODES

被引：0
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作者：
CLAASSEN, M
GROTHE, H
PIERZINA, R
HARTH, W
机构：
来源：
AEU-ARCHIV FUR ELEKTRONIK UND UBERTRAGUNGSTECHNIK-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS | 1987年 / 41卷 / 06期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：380 / 381
页数：2
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