ZnO及其缺陷电子结构对光谱特性的影响

被引：34

作者：

徐彭寿

孙玉明

施朝淑

徐法强

潘海斌

施朝淑

机构：

[1] 中国科技大学结构分析开放实验室

[2] 中国科技大学国家同步辐射实验室

[3] 中国科技大学物理系

来源：

红外与毫米波学报 | 2002年 / S1期

关键词：

ZnO; 缺陷; 电子结构; 光谱;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN312 [二极管：按结构和性能分];

学科分类号：

摘要：

利用全势ＬＭＴＯ(ＦＰ－ＬＭＴＯ)理论计算方法,对ＺｎＯ中的某些缔合缺陷(如氧空位和锌填隙、锌填隙和锌空位及锌的氧反位缺陷〕的电子结构进行了计算根据本文和以前的计算结果,得到了ＺｎＯ中几种本征点缺陷对应的缺陷态能级位置．利用得到的理论计算结果,我们分析了ＺｎＯ的吸收和发射光谱可能产生的机制,并讨论了ＺｎＯ与缺陷电子结构对它们的影响．

引用

页码：91 / 96

页数：6